Thanh cái đồng phân phối chính
Định vị sản phẩm:
Thanh cái nguồn chính HTD PDU là xương sống phân phối dòng điện lõi được thiết kế cho các bộ phân phối điện áp cao, đảm bảo định tuyến nguồn cấp hệ thống liền mạch giữa các nguồn năng lượng và nhiều tải. Được chế tạo từ đồng T2 có độ dẫn điện cao (độ tinh khiết ≥99,9%) hoặc vật liệu tổng hợp nhôm-đồng tiên tiến, nó mang lại trở kháng cực thấp (≤8nH) và hỗ trợ dải dòng điện rộng từ 300A đến 6000A. Được thiết kế với khả năng xếp chồng nhiều lớp chính xác và tích hợp lớp cách nhiệt, nó đảm bảo hiệu suất ổn định từ -40°C đến 105°C, với mức tăng nhiệt độ ≤40K ở dòng điện định mức. Giải pháp nhỏ gọn, hiệu quả cao này giúp tăng hơn 30% mức sử dụng không gian PDU, khiến giải pháp này trở nên cần thiết cho các hệ thống điện hiện đại đòi hỏi độ tin cậy và mật độ năng lượng cao.
Các thông số hiệu suất chính của thanh cái đồng :
| Category |
Specific Parameters |
Test Standard |
| Base Material |
T2 Copper (default), Copper-Aluminum Composite(optional) |
Enterprise Standard / ICP-AES |
| Electrical Conductivity |
DC resistivity ≤0.026 Ω·mm²/m; carries 95%+ current of equivalent solid copper busbar |
GB/T 5585.1 |
Rated Current
|
Continuous current: 300A–6000A (section-optimized); peak current ≥3x rated value
|
IEC 60947
|
| Insulation & Protection |
Withstand voltage ≥3500V AC (60s); protection class IP67; creepage distance ≥10mm |
ISO 20653 |
| Mechanical Strength |
Tensile Strength ≥220MPa, Vibration Stability ≥25g (10-2000Hz) |
IEC 60068-2-6 |
Thermal Management
|
Operating Temperature: -40°C~105°C, Short-term Withstand: 180°C |
IEC 60068-2-14
|
Connection Reliability
|
Contact Resistance ≤3μΩ, Bolt Torque Retention Rate ≥98% (post-vibration) |
Enterprise Standard
|
Quy trình cốt lõi & Quy trình sản xuất:
Thiết kế cấu trúc liên kết có độ tự cảm thấp
- Cấu trúc nhiều lớp của thanh cái được tối ưu hóa bằng cách sử dụng mô phỏng khớp nối nhiệt điện từ 3D để giảm thiểu độ tự cảm của vòng lặp (<8nH) và tổn thất dòng điện xoáy (giảm 30%). Thiết kế lọc tích hợp kết hợp lõi từ tinh thể nano để triệt tiêu nhiễu chế độ chung tần số cao ≥15dB @1 MHz.
Xử lý và niêm phong có độ chính xác cao - Khuôn liên tục nhiều trạm cho phép đột, gấp mép và uốn một bước, đạt được dung sai góc nhọn là ±0,05mm và chiều cao lưỡi dao ≤0,005mm. Hệ thống bịt kín ba lớp—kết hợp các miếng đệm, chất lỏng ngâm tẩm và hợp chất bầu—đảm bảo độ bền chống sốc nhiệt (2000 giờ).
Cách nhiệt và tích hợp nhiệt
- Cấu trúc cách nhiệt tăng cường sử dụng màng composite PET+PI hoặc lớp phủ epoxy-gốm (dày 0,3–0,8 mm) mang lại khả năng chịu được điện áp ≥3500V AC và độ dẫn nhiệt ≥2,0 W/m·K . Mỡ silicon dẫn nhiệt giữa thanh cái và mô-đun giúp giảm 35% khả năng chịu nhiệt.
Các bước quy trình sản xuất (Phiên bản tối ưu hóa)
| Step |
Core Process |
Key Technical Points |
Output Standard |
| 1 |
Material Preparation |
T2 copper strip slitting, online annealing |
Conductivity ≥100% IACS |
| 2 |
Precision Stamping |
Progressive die high-speed stamping, burr control |
Dimensional tolerance ±0.1mm |
| 3 |
Bending & Forming |
Servo-controlled bending, arc precision control |
Bend radius accuracy ±0.1mm |
| 4 |
Surface Treatment |
Selective silver/tin plating, micro-arc oxidation |
Plating thickness 5-15μm |
| 5 |
Insulation Treatment |
Electrostatic spraying of epoxy ceramic coating |
Withstand voltage ≥3500V AC
|
| 6 |
Comprehensive Testing
|
Loop resistance, partial discharge, vibration test
|
Defect rate ≤0.01% |
Liên hệ với bây giờ
